SK Hynix анонсировала первую на рынке 72-слойную память 3D NAND

В понедельник, 10 апреля, компания SK Hynix анонсировала первую на рынке 72-слойную память 3D NAND flash. Её серийное производство начнётся через несколько месяцев. Во втором квартале 2016 года SK Hynix поставила на конвейеры 36-слойную флеш-память, а в ноябре запустила производство 48-слойных чипов. Массовый выпуск 72-слойной памяти намечен

В течение марта микросхемы NAND-флеш подорожали на 9%

Беда не приходит одна. За прошедший год значительно подорожали микросхемы памяти SDRAM DDR3 и DDR4, безмерно расстроив ценителей персональных компьютеров. Оптовые цены на микросхемы памяти за год увеличились на 42 %. Ближе к концу 2016 года похожая тенденция стала прослеживаться при заключении контрактов на поставку флеш-памяти NAND. Спрос на

Популярность экранов AMOLED повлечёт рост цен на память NOR-флеш

Неожиданно, но дефицит грозит даже флеш-памяти NOR, которая к настоящему времени утратила былую популярность. Около десяти лет назад соревнование между NOR и NAND памятью было вчистую проиграно памятью NOR-флеш. Последняя характеризуется более сложной структурой ячейки памяти, состоящей из нескольких транзисторов, тогда как память NAND — это

Toshiba выделит NAND-бизнес в отдельную компанию, рассмотрит продажу контрольного пакета

Из-за финансовых проблем Toshiba планирует выделить разработку и производство NAND флеш-памяти и продуктов на её базе в отдельную компанию, при этом не исключается продажа контрольного пакета будущей компании стороннему инвестору

Toshiba начинает поставки 512-Гбит 3D NAND-чипов и анонсирует 1-Тбайт BGA SSD

Toshiba начала поставки опытных образцов микросхем типа BiCS 3D NAND флеш-памяти с 64 слоями и ёмкостью 512 Гбит. Компания начнёт массово производить подобные чипы во второй половине года, а первым продуктом на базе этих устройств станут миниатюрные однокристальные накопители ёмкостью 1 Тбайт

Samsung и SK Hynix увеличивают инвестиции в производство 3D NAND на 27%

Начало строительства в Китае крупных производственных кластеров для выпуска памяти 3D NAND и DRAM пока можно рассматривать как призрачную угрозу международному рынку памяти. Реальной она станет не раньше, чем через пять-семь лет. До этого за рынок памяти будут бороться действующие лидеры — компании Samsung Electronics, SK Hynix и Micron. Обе

Western Digital создала первые в мире 64-слойные чипы 3D NAND ёмкостью 512 Гбит

Новые изделия выполнены по технологии TLC — Triple-Level-Cell: она предусматривает хранение трёх бит информации в каждой ячейке. Пока Western Digital осуществляет опытное производство чипов, которые были созданы при поддержке специалистов Toshiba. Массовый выпуск намечен на вторую половину текущего года

Micron возлагает большие надежды на 3D NAND и GDDR6

На днях в ходе мероприятия Micron Analyst Conference топ-менеджеры американской компании Micron Technology рассказали о перспективах и векторах развития рынка памяти, а также поделились информацией о текущих проектах. По прогнозам производителя, 2017 год станет весьма успешным для компаний, выпускающих и оперативную память, и память NAND

Планы SK Hynix на этот год: 18-нм DRAM, 72-слойная 3D NAND, расширение фабрики M14

Компания SK Hynix раскрыла некоторые планы по производству оперативной и энергонезависимой памяти на этот год. Компания представит микросхемы DRAM, произведённые по технологии 18 нм, а также микросхемы NAND флеш-памяти ёмкостью 512 Гбит (64 Гбайь)

Intel начала поставлять для тестирования сверхбыстрые накопители Optane

Корпорация Intel, по сообщениям сетевых источников, начала предоставлять партнёрам передовые твердотельные накопители Optane для проведения тестирования. В основе Optane лежит технология 3D XPoint, разработанная Intel совместно с Micron. Напомним, что 3D XPoint представляет собой энергонезавиcимую память, по принципу действия совершенно отличную