В основе Optane лежит технология 3D XPoint, разработанная Intel совместно с Micron. Напомним, что 3D XPoint представляет собой энергонезавиcимую память, по принципу действия совершенно отличную от традиционной памяти NAND Flash. В то время как NAND Flash для хранения информации использует электроны, захваченные в затворе транзистора, ячейка 3D XPoint меняет сопротивление для различения между нулём и единицей.
Энергонезависимая память 3D XPoint до 1000 раз быстрее и имеет до 1000 раз более длительный срок службы по сравнению с памятью NAND. Кроме того, 3D XPoint характеризуется в 10 раз более высокой плотностью размещения компонентов по сравнению с обычной памятью.
«3D XPoint является революционной технологией памяти, которая позволяет свести к минимуму те компромиссы в отношении стоимости, производительности и энергопотребления устройств, на которые обычно вынуждено идти большинство производителей систем при проектировании решений для хранения данных и памяти. Новая технология обеспечивает значительно более высокую плотность по сравнению с DRAM и значительно более высокую скорость по сравнению с NAND, что позволяет нам размещать данные ближе к центральному процессору», — заявляют в Intel.
Ожидается, что на коммерческом рынке решения семейства Optane появятся в следующем году.
