Samsung и SK Hynix увеличивают инвестиции в производство 3D NAND на 27%

Начало строительства в Китае крупных производственных кластеров для выпуска памяти 3D NAND и DRAM пока можно рассматривать как призрачную угрозу международному рынку памяти. Реальной она станет не раньше, чем через пять-семь лет. До этого за рынок памяти будут бороться действующие лидеры — компании Samsung Electronics, SK Hynix и Micron. Обе южнокорейские компании, как сообщает корейское издание BusinessKorea со ссылкой на организацию Semiconductor Equipment and Materials International (SEMI), намерены совершить упреждающие действия, которые укрепят их позиции на рынке памяти.

Согласно данным источника, в 2017 году инвестиции Samsung Electronics и SK Hynix в полупроводниковый бизнес составят $14 млрд (15,97 трлн вон). Это на 27,3 % больше, чем в 2016 году ($11 млрд или 12,55 трлн вон). В частности, Samsung инвестирует в заводы $10 млрд (11,41 трлн вон) или на 25 % больше, чем в прошлом году. Компания SK Hynix инвестирует в развитие $6,13 млрд (7 трлн вон), из которых только на заводы пойдёт $4 млрд (4,6 трлн вон). Остальные лидирующие компании полупроводникового сектора, если верить источнику, в 2017 году последовательно сократят капитальные расходы на сотни миллионов долларов США.


Производственный комплекс SK Hynix M14


Основная масса капитальных инвестиций Samsung и SK Hynix придётся на увеличение производства многослойной энергонезависимой памяти 3D NAND. Источник подчёркивает, что основным видом деятельности обеих компаний на рынке памяти будет оставаться производство оперативной памяти типа DRAM (включая мобильную для серверов и другую). Так, пропорция производства DRAM/NAND у компании Samsung равна 6/4, а у компании SK Hynix — 7/3. Запланированные на 2017 год инвестиции в линии по производству 3D NAND должны изменить эти соотношения в пользу NAND-флеш, что также означает продолжение дефицита DRAM и дальнейший рост цен на оперативную память.


Компьютерное изображение нового завода Toshiba Fab 6 в Йоккаити


Изменения также будут в структуре поставок памяти NAND. Пропорция будет смещаться в сторону многослойной памяти 3D NAND, которая приносит больше выручки производителям. В частности, Samsung в первом полугодии намеревается приступить к производству 64-слойной 512-Гбит 3D NAND TLC (64-слойная 256-Гбит 3D NAND TLC пошла в производство в прошлом году), а компания SK Hynix начнёт во втором квартале выпуск 72-слойной 256-Гбит 3D NAND TLC и планирует начать выпуск 72-слойной 512-Гбит 3D NAND TLC в четвёртом квартале.

Благодаря запланированным инвестициям Samsung и SK Hynix в производство 3D NAND общемировые инвестиции в производство NAND-флеш в 2017 году вырастут на 14 %: с $14 млрд в прошлом году до $16 млрд в текущем году. Тем самым южнокорейским производителям в 2017 году будет принадлежать свыше 70 % рынка DRAM и свыше 45 % рынка NAND.