SK Hynix готовится начать массовое производство 48-слойной 3D NAND

Согласно обнародованным ранее планам южнокорейской компании SK Hynix, во второй половине 2016 года она собиралась приступить к выпуску второго поколения многослойной памяти 3D NAND. Первое поколение многослойной флеш-памяти 3D NAND компания начала массово выпускать в третьем квартале 2015 года. Это были 36-слойные микросхемы ёмкостью 128 Гбит с MLC-ячейкой (по два бита данных в ячейке).К сожалению, за прошедшее с тех пор время SK Hynix не смогла увеличить объёмы выпуска 3D NAND до значительных объёмов. К настоящему времени она вышла на объём 10 тыс. 300-мм пластин в месяц, что едва ли не на порядок меньше, чем способна выпускать 3D NAND компания Samsung. Значительно поднять объёмы производства 3D NAND компания SK Hynix обещает до конца текущего года.Микросхемы NAND флеш-памяти SK HynixПо сообщению интернет-издания The Korea Economic Daily, до конца текущего месяца компания SK Hynix приступит к массовому выпуску второго поколения 3D NAND в виде 48-слойных 256-Гбит микросхем с трёхбитовой ячейкой (TLC). До конца года объёмы производства 48-слойных микросхем будут доведены до 20–30 тыс. 300-мм пластин в месяц. Иначе говоря, SK Hynix удвоит и даже утроит выпуск многослойной памяти, что обещает положительно сказаться на формировании цен на твердотельные накопители. Достигнутые объёмы производства доведут долю 3D NAND в потоке флеш-памяти SK Hynix до 15 %.Аналитики компании IHS Markit подсчитали, что в текущем году доля 3D NAND достигнет уровня 23,6 %. Год назад многослойная память удерживала только 6,7 %, а всё остальное — это была планарная память NAND-флеш. В 2017 году, как прогнозируется, доля 3D NAND достигнет 57,8 % и начнёт доминировать на рынке, обещая сделать носители на флеш-памяти ещё доступнее по цене.Планы SK Hynix в области 3D NAND флеш-памяти (TechInsights)К слову, компания SK Hynix станет вторым после Samsung производителем, освоившим выпуск 48-слойной 3D NAND. Следующей целью компании станет внедрение в производство 72-слойной флеш-памяти, что ожидается во второй половине 2017 года. Похоже, SK Hynix решила пропустить этап производства 64-слойной 3D NAND и намерена в «прыжке» обогнать Samsung и Toshiba, которые приступили или приступят к выпуску 64-слойной памяти во второй половине текущего года.