В переходе на выпуск 3D NAND компания Samsung идёт впереди планеты всей. В текущем году она приступила к массовому выпуску третьего поколения 32-слойных микросхем и к концу года начнёт выпуск первых в индустрии 64-слойных микросхем 3D NAND. Но для настоящей экспансии этого мало. Необходимы новые цеха и заводы. Мы уже знаем, что в следующем году Samsung будут вводить в строй новый завод вблизи города Пхёнтхэк (Pyeongtaek). Однако потребность в новой энергонезависимой памяти такова, что компания сделала всё от неё зависящее, чтобы новое предприятие заработало раньше запланированного.
Новый завод Samsung в Южной Корее (http://www.koreaherald.com)
По сообщению южнокорейских источников, предприятие Samsung Line 18 в Пхёнтхэк будет запущено на один квартал раньше — в декабре этого года, а к апрелю начнёт выпускать первую серийную продукцию. Отмечается, что с линий Line 18 сразу начнут сходить 64-слойные микросхемы 3D NAND. Объём производства линий первой очереди составит 40-50 тыс. 300-мм пластин в месяц. Всего для достижения проектной мощности нового завода предусмотрен поэтапный запуск четырёх очередей линий или производство 200 тыс. пластин в месяц.
overclock3d.net
Предприятие в Пхёнтхэк станет крупнейшим в мире полупроводниковым заводом с общей площадью полов 2,89 млн квадратных метров. Сумма инвестиций в проект составит 15,6 трлн вон (примерно $14 млрд). Инвестиции в первую очередь линий потребовали вложений до 3,5 млрд вон (до $3,2 млрд). К слову, в третьем квартале наметился рост спроса на модули флеш-памяти eMMC. Из-за нехватки этих компонентов для смартфонов микросхемы флеш-памяти подорожают до конца года на 15 %. С вводом в строй нового завода Samsung, скорее всего, опасность дефицита микросхем флеш-памяти будет в корне ликвидирована.
