Intel, Micron
Ближайший конкурент компании Samsung на ниве выпуска многослойной флеш-памяти — компания Micron — фактически продолжает находиться на стадии первичного этапа производства 3D NAND. До конца года Micron собирается перейти на выпуск второго поколения многослойной памяти. Как часть этого плана компания начинает расширять производство на своём заводе Fab 10 в Сингапуре. На днях, как сообщают сингапурские источники, руководство компании и представители властей Сингапура провели торжественную церемонию, посвящённую вводу в строй новых мощностей Micron по выпуску 3D NAND.
Кристаллы 32-слойной 3D NAND производства IMFT
Завод Fab 10 по выпуску планарной флеш-памяти NAND начал строиться в 2006 году как мощности для обслуживания совместного предприятия IM Flash Singapor компаний Micron и Intel. Впоследствии Intel продала свою долю в предприятии компании Micron. К слову, год назад Intel инвестировала порядка $5 млрд в собственное производство 3D NAND на базе своего завода в китайском городе Далянь. Новые инвестиции Micron в Fab 10 также будут направлены, минуя Intel. Всего в течение нескольких следующих лет Micron вложит в расширение линий Fab 10 около $4 млрд.
В основе SSD Crucial MX300 лежит память Micron TLC 3D NAND
Представители Micron отказались раскрыть детали инвестиционного плана в линии по выпуску флеш-памяти 3D NAND. По словам руководства Micron, после завершения всех работ завод сможет выпускать «значительно больше» микросхем многослойной флеш-памяти. Пока речь идёт о создании 500 новых рабочих мест. Всего на заводе Fab 10 в городе Сеноко работает 3 400 человек. В общем случае штат сотрудников Micron в Сингапуре включает 7500 работников — это 25 % от общего числа персонала компании. Следует заметить, что люди — это основное богатство этой маленькой страны. К сожалению, грамотно распорядиться таким богатством могут не все и не всегда.