Микросхемы NAND флеш-памяти производства Toshiba
Новые устройства флеш-памяти типа BiCS 3D NAND с 64 слоями и ёмкостью 512 Гбит используют трёхбитовые ячейки (triple level cell, TLC), что неудивительно, так как все производители энергонезависимой памяти в настоящее время сосредоточились на развитии именно этого типа NAND для выходящих вскоре SSD. Новые 64-слойные микросхемы памяти были подробно описаны Toshiba и Western Digital на конференции ISSCC для разработчиков ранее в этом месяце, однако компании не раскрыли каких-либо технических особенностей данных чипов публично (скорость интерфейса, количество плейнов и т. д.). Судя по всему, разработчики это сделают ближе к моменту официального начала поставок.
Производственный комплекс Toshiba
Стоит упомянуть, что сами по себе 64-слойные микросхемы 3D TLC BiCS NAND не являются прорывом для 2017 года. Western Digital поставляет 64-слойные 3D NAND устройства в составе коммерческих устройств (для разного рода карт памяти и USB-флешек) начиная с ноября или декабря прошлого года. Однако те микросхемы имеют ёмкость 256 Гбит и массово производятся как Toshiba, так и Western Digital на совместно используемой фабрике в Японии. Новые же микросхемы способны хранить 512 Гбит (64 Гбайт) данных и являются одними из самых ёмких чипов NAND флеш-памяти на сегодняшний день.
Toshiba и Western Digital говорят, что массовое производство 64-слойных устройств BiCS 3D NAND флеш-памяти ёмкостью 512 Гбит начнется во второй половине 2017 года. Обе компании заявили, что новые микросхемы будут использованы для самых разных накопителей, в том числе тех, что продаются в рознице, используются в мобильных устройствах и применяются в центрах обработки данных. Последнее указывает на то, что эти устройства будут использоваться не только для съёмных накопителей и смартфонов/планшетов, но и для высокопроизводительных SSD корпоративного класса.
SSD в форм-факторе BGA производства Toshiba
Одними из первых SSD, которые получат новые 64-слойные микросхемы BiCS 3D NAND ёмкостью 512 Гбит, станут однокристальные накопители Toshiba серии BG, которые будут доступны как виде микросхем в форм-факторе BGA, так и в виде миниатюрных модулей M.2. Использование 16 новых чипов позволит данным SSD увеличить свою ёмкость вплоть до 1 Тбайт. Подобные твердотельные накопители применяются в различных мобильных и сверхкомпактных ПК, позволяя им как уменьшить размеры, так и увеличить время работы от одного заряда батареи (вследствие того, что ёмкость последней можно увеличить благодаря освободившемуся пространству). Образцы нового поколения SSD в форм-факторе BGA будут доступны в апреле, в то время как их массовое производство начнётся во второй половине 2017 года.
