Преимущество ReRAM над многослойной NAND (слайд из презентации Western Digital на FMS)
Образцы встраиваемой памяти ReRAM с использованием 40-нм техпроцесса недавно начала выпускать китайская компания SMIC. На сегодня это одна из самых передовых разработок, добравшихся до стадии предсерийного производства. Но ещё в 2013 году микроконтроллеры с блоком ReRAM начала выпускать японская компания Panasonic. К сожалению, они выпускались с использованием 180-нм техпроцесса и не могли похвастаться каким-то выигрышем перед памятью NAND-флэш. Чтобы вывести выпуск контроллеров со встроенной памятью ReRAM на новый уровень, Panasonic собирается привлечь к разработке тайваньского контрактного производителя полупроводников — компанию UMC.
Общий принцип организации перекрёстной памяти RRAM (Crossbar)
Как сообщает японское ИА Nikkei, Panasonic и UMC начинают совместную разработку технологий для производства контроллеров со встроенной памятью ReRAM на базе 40-нм техпроцесса. У японских компаний отсутствуют передовые «домашние» техпроцессы для выпуска полупроводников. Та же компания Fujitsu летом 2014 года лицензировала у UMC техпроцесс с нормами 40 нм. У Panasonic тоже нет производства подобной сложности, на пару с UMC она обещает начать поставку образцов микроконтроллеров с ReRAM в 2018 году, а массовое производство новинок организовать в 2019 году.
Первый серийный контроллер Panasonic со встроенной памятью ReRAM (Panasonic)
В планах партнёров значится быстро начать зарабатывать на новом направлении — сразу же до $44 млн в год (до 5 млрд иен). С блоками ReRAM компания Panasonic рассчитывает поставлять чипы для паспортов, датчики для служб безопасности, контроллеры для носимой электроники (часов и прочего), а также спектр продукции для промышленной электроники.
Для наших читателей интереснейшим применением ReRAM стал бы выход SSD-накопителей на перспективной памяти. Увы, дешёвой альтернативы NAND пока нет. Первой попыткой выпустить твердотельные накопители не на базе традиционной флеш-памяти можно считать выход SSD Intel Optane и Micron QuantX (оба варианта на условно резистивной памяти 3D XPoint). Компания Panasonic вряд ли к этому приблизится раньше первой половины следующего десятилетия. Мифический элемент мемристор компании HP также буксует. Возможно, прорывом может стать совместная разработка ReRAM HP и SanDisk, объявленная в 2015 году (сейчас место SanDisk, вероятно, заняла компания Western Digital).
Ещё дальше от практической реализации разработки компании IBM. Последняя предложила «жидкий транзистор» с каплей ионизированной жидкости. Наконец, собственные версии ReRAM есть у компаний Toshiba, SK Hynix и Samsung, но все они, за исключением Toshiba, предпочитают хранить молчание о возможных сроках выхода на рынок. Что касается Toshiba, то она обещает приступить к производству ReRAM после 2020 года.
