Реальный образец памяти RRAM (Crossbar)
Лицензия на производство памяти ReRAM была предоставлена китайской компании SMIC в марте прошлого года. К этому дню, как уже сказано выше, SMIC приступила к поставкам рабочих образцов кристаллов ReRAM. Резистивная память выпускается с использованием 40-нм техпроцесса, а в течение первой половины текущего года обещают выйти 28-нм образцы ReRAM. Полученные образцы помогут компании Crossbar разработать технологию встраиваемой в микроконтроллеры и SoC памяти ReRAM. Запрос на это очень высок, ведь резистивная память устойчива к перезаписи и может выдерживать до 100 000 циклов записи.
Общий принцип организации перекрёстной памяти RRAM (Crossbar)
Благодаря своим характеристикам память ReRAM потенциально способна заменить память NOR-флеш, оптимизированную для запуска кода, и память NAND-флеш, которая сегодня в массе используется для хранения данных. Так, если задержки при обращении к памяти NAND-типа достигают миллисекунд, то задержки при чтении из ячейки ReRAM равны 20 нс, а задержки на запись в ReRAM не превышают 12 нс. При этом память ReRAM перед записью не надо очищать, что упрощает структуру сигнала и сокращает время на операции.
Принцип работы ячейки памяти ReRAM компании Crossbar (Crossbar)
В заключение напомним, что память ReRAM компании Crossbar работает на принципе управляемого формирования нитей из ионов серебра в рабочем слое из аморфного кремния. Рабочее напряжение одной полярности заставляет ионы серебра мигрировать в рабочий слой из серебряных электродов снаружи ячеек, а рабочее напряжение обратной полярности возвращает ионы серебра обратно в электроды. Напряжение с невысоким значением считывает состояние ячеек. Таких состояний, кстати, может быть несколько, и, соответственно, в каждой ячейке может храниться несколько бит данных. Также такую память можно выпускать в виде многослойного стека. Одним словом — очень перспективная разработка и очень хорошо, что её сегодня могут пощупать все желающие производители. Авось кому-то понравится.
