Авторизация
Накопитель Crucial BX300 возвращает MLC NAND в массовые SATA SSD

Накопитель Crucial BX300 возвращает MLC NAND в массовые SATA SSD

30 август
Компания Crucial начала продажи твердотельных накопителей серии BX300, рассчитанных на потребительский рынок. Новые решения подходят для апрейда существующего компьютера — в частности, для замены жёсткого диска на более производительный флеш-модуль. Устройства выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе; толщина корпуса составляет 7 мм.
Рынок флеш-памяти вырос на 8 % благодаря подорожанию чипов

Рынок флеш-памяти вырос на 8 % благодаря подорожанию чипов

22 август
Мировые продажи памяти NAND flash во втором квартале 2017 года увеличились на 8 % относительно трёх предыдущих месяцев, достигнув $13,22 млрд. Рост произошёл вследствие повышения контрактных цен на эту продукцию на 3–10 %, сообщают в аналитической компании DRAMeXchange (входит в состав TrendForce). По словам аналитика DRAMeXchange Алана
В новом году Samsung приступит к производству 1-Тбит 3D NAND

В новом году Samsung приступит к производству 1-Тбит 3D NAND

9 август
В 2018 году, используя 96-слойную структуру памяти 3D NAND и четырёхбитовую ячейку QLC, компании Toshiba и Western Digital намерены организовать производство кристаллов энергонезависимой памяти ёмкостью 768 Гбит. До заветного терабита на один кристалл осталось совсем немного. Покорить этот рубеж вполне предсказуемо собирается компания Samsung.
Нехватка чипов памяти отразилась на продажах Transcend

Нехватка чипов памяти отразилась на продажах Transcend

7 август
Компания Transcend Information, которая среди прочей продукции выпускает разного рода накопители, предупредила о сохраняющейся нехватке чипов памяти. Дефицит микросхем негативно влияет на бизнес вендора, о чём свидетельствуют данные за второй квартал 2017 года. По итогам этого периода Transcend выручила NT$5 млрд ($165,5 млн), что на 6,3 %
WD анонсировала архитектуру X4 3D NAND с 4 битами на ячейку флеш-памяти

WD анонсировала архитектуру X4 3D NAND с 4 битами на ячейку флеш-памяти

25 июль
Твердотельные накопители постоянно развиваются. Очередным шагом, призванным сделать SSD более успешной заменой магнитных жёстких дисков с точки зрения стоимости хранения данных, стала новая разработка Western Digital. Компания сообщила, что с успехом завершила создание архитектуры памяти 4X, с четырьмя битами на ячейку, для технологии 64-слойной
Цены на память остановят свой рост к концу года

Цены на память остановят свой рост к концу года

20 июль
Несмотря на ограниченные поставки и дефицит, продажи чипов DRAM и NAND (в денежном выражении) до конца года смогут установить новые рекорды, — такой прогноз содержится в аналитическом обзоре компании IC Insights, занимающейся исследованиями рынка. Хорошей же для конечных потребителей новостью является то, что невзирая на всё это, существенного
Apple закупает у Samsung больше памяти для новых iPhone из-за проблем у SK Hynix и Toshiba

Apple закупает у Samsung больше памяти для новых iPhone из-за проблем у SK Hynix и Toshiba

7 июль
Apple увеличивает закупки памяти Samsung для новых iPhone, поскольку компании SK Hynix и Toshiba не справляются с заказами американской корпорации, сообщает DigiTimes, ссылаясь на источники в отрасли. По их данным, объёмы выпуска чипов 3D NAND Flash на предприятиях SK Hynix и Toshiba не дотягивают до ожиданий, в результате чего компании оказались
SK Hynix начала поставки 72-слойной 3D TLC NAND

SK Hynix начала поставки 72-слойной 3D TLC NAND

7 июль
Как сообщают отраслевые источники, компания SK Hynix на своём южнокорейском предприятии M12 в Чхонджу приступила к серийному выпуску многослойной (трёхмерной) флеш-памяти четвёртого поколения. Такая NAND-память наделена 72-слойным дизайном и была анонсирована три месяца назад. Теперь же выход годных кристаллов достиг приемлемой для массового
Toshiba обещает повышенную износоустойчивость 3D QLC NAND: 1000 циклов перезаписи

Toshiba обещает повышенную износоустойчивость 3D QLC NAND: 1000 циклов перезаписи

5 июль
Многие отраслевые эксперты с осторожностью относятся к флеш-памяти типа QLC NAND вследствие её низкой износоустойчивости, находящейся на уровне 100–150 циклов перезаписи/стирания при использовании обычных методов чтения и ECC. Согласно новому заявлению Toshiba, выходящие в следующем году микросхемы 3D QLC NAND флеш-памяти смогут выдерживать до
Toshiba открывает эру QLC NAND и анонсирует 96-слойную флеш-память

Toshiba открывает эру QLC NAND и анонсирует 96-слойную флеш-память

28 июнь
Несколько часов тому назад компания Western Digital анонсировала готовность дизайна фирменной 96-слойной BiCS4 3D NAND-памяти, который она разрабатывала в рамках сотрудничества с Toshiba. Естественно, аналогичный анонс должна была сделать и японская компания, ведь совместное предприятие Flash Forward, в котором пока ещё состоят Western Digital и
Назад 1 2 3 4 5 Дальше