Новая технология является развитием прежнего решения компании X4 для флеш-памяти 2D NAND и последующей коммерциализации. Успех разработки X4 для памяти 3D NAND был обеспечен высоким уровнем вертикальной интеграции и опыта WD в области флеш-памяти.
Технология BiCS3 X4, как утверждает WD, способна обеспечить ёмкость на уровне 768 гигабит на чип, что на 50 % больше предыдущего индустриального рекорда в 512 гигабит на отдельный кристалл, достигнутого при помощи 3-битной (X3) архитектуры. Компания не просто разработала новую технологию, но уже готова к её внедрению: образцы первых SSD и систем на базе BiCS3 X4 будут показаны на мероприятии Flash Memory Summit в Калифорнии уже в августе.
Важно не только достигнутое увеличение плотности данных на единицу площади кристалла, но и тот факт, что архитектура BiCS3 X4, по словам представителей WD, обеспечивает сопоставимые с BiCS3 X3 показатели надёжности и скорости. Благодаря этому можно ожидать широкое распространение и принятие рынком технологии X4. Будущие поколения флеш-памяти 3D NAND, включая 96-слойную BiCS4, как ожидается, тоже будут основаны на технологии X4.
