Авторизация
SK Hynix построит новую фабрику по производству NAND и модернизирует производство DRAM

SK Hynix построит новую фабрику по производству NAND и модернизирует производство DRAM

26 декабрь
Корпорация SK Hynix обнародовала планы создания ещё одного гигантского комплекса по производству энергонезависимой памяти, а также модернизации фабрики в Китае. Первый проект позволит компании укрепить позиции на рынке NAND флеш-памяти, а второй — сохранить позиции на рынке DRAM
«Национальную» память для ПК планируют выпускать три китайских компании

«Национальную» память для ПК планируют выпускать три китайских компании

16 ноябрь
Цены на память для ПК непрерывно падали около двух лет. Сильнее всего от этого страдали компании Micron и SK Hynix. На фоне убытков стали появляться сообщения, что крупные китайские инвестиционные компании начали проявлять интерес к покупке дешевеющих активов этих производителей чипов DRAM. Со временем, возможно, так бы и произошло. Однако с
Samsung начнёт выпускать 15-нм чипы DRAM во второй половине 2017 года

Samsung начнёт выпускать 15-нм чипы DRAM во второй половине 2017 года

3 ноябрь
Корпорация Samsung начнёт массовое производство 15- и 16-нм чипов DRAM во второй половине 2017 года, передаёт деловое издание Business Korea. Кроме того, ссылаясь на индустриальные источники, оно сообщает, что примерно в это же время южнокорейский гигант доведёт выпуск 18-нм решений до 30–40 % от общего объёма производимых ею микросхем памяти.
Samsung сделала смартфоны с 8 ГБ оперативной памяти реальностью

Samsung сделала смартфоны с 8 ГБ оперативной памяти реальностью

21 октябрь
Компания Samsung Electronics представила мобильный модуль оперативной памяти объемом 8 ГБ. По словам производителя, это первый на рынке модуль LPDDR4 DRAM такой вместительности. Как ожидает Samsung, новый модуль сможет ускорить и улучшить работу флагманских мобильных устройств с ультрачеткими 4K Ultra HD-дисплеями. В модуле используются четыре
Samsung запустила производство самой быстрой в мире DRAM

Samsung запустила производство самой быстрой в мире DRAM

20 январь
Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства чипов DRAM-памяти емкостью 4 ГБ с интерфейсом HBM (High Bandwidth Memory, памяти высокой пропускной способности) второго поколения. Как утверждает производитель, это самая быстрая в мире память DRAM. Такие чипы предназначены для высокопроизводительных графических карт
Назад 1 2 Дальше