
Как ожидает Samsung, новый модуль сможет ускорить и улучшить работу флагманских мобильных устройств с ультрачеткими 4K Ultra HD-дисплеями. В модуле используются четыре 16-гигабитных чипа LPDDR4, изготовленных по 10-нм технологическому процессу. Скорость передачи данных такого модуля достигает 4266 Мбит/с на контакт, это в два раза быстрее DDR4 DRAM для ПК, которые обычно работают со скоростью 2133 Мбит/с. При использовании 64-битной шины памяти, скорость передачи данных достигнет более 34 ГБ/с. За счет использования 10-нм техпроцесса, потребление энергии осталось на уровне 20-нм модуля DRAM 4 ГБ при удвоенной вместительности. Размеры модуля составляют 15 х 15 х 1 мм.
Источник: Samsung