Как утверждает производитель, это самая быстрая в мире память DRAM. Такие чипы предназначены для высокопроизводительных графических карт следующего поколения, сетевых систем и корпоративных серверов. Модули HBM2 DRAM на 4 ГБ изготавливаются по 20-нанометровому техпроцессу и содержат четыре 8-гигабитных чипов. Пропускная способность достигает 256 ГБ/с, что в два раза выше, чем у DRAM с интерфейсом HBM первого поколения. Также новые чипы в два раза превышают по показателю скорости на один ватт потребляемой энергии по сравнению с решениями на основе 4 Гбит GDDR5. Также предусмотрена функциональность ECC, кода исправления ошибок.
Источник: Samsung
