Как помечает производитель, Samsung LPDDR3 емкостью 12 Гбит выдается улучшенной пропускной способностью и длиннейшей скоростью работы, доступной на базаре чипов DRAM-памяти. Новый 20-нм 12-гигабитный LPDDR4 чип с 4,266 Мбит/с обеспечивает более 30% возвышеннее производительность по сравнению с 8-гигабитным LPDDR4 чипом. Такие чипы будут использоваться в флагманских мобильных устройствах. 12-гигабитный чип мобильной DRAM-памяти LPDDR4 позволяет интегрировать 3 ГБ или 6 ГБ мобильной DRAM-памяти в один-одинехонек гаджет, используя 2 и 4 микросхемы соответственно. При этом 6-гигабайтный чип мобильной DRAM-памяти LPDDR4 занимает столько же места, что и 3-гигабайтный LPDDR4.
Источник: Samsung
