Toshiba обещает повышенную износоустойчивость 3D QLC NAND: 1000 циклов перезаписи

Многие отраслевые эксперты с осторожностью относятся к флеш-памяти типа QLC NAND вследствие её низкой износоустойчивости, находящейся на уровне 100–150 циклов перезаписи/стирания при использовании обычных методов чтения и ECC. Согласно новому заявлению Toshiba, выходящие в следующем году микросхемы 3D QLC NAND флеш-памяти смогут выдерживать до

В течение марта микросхемы NAND-флеш подорожали на 9%

Беда не приходит одна. За прошедший год значительно подорожали микросхемы памяти SDRAM DDR3 и DDR4, безмерно расстроив ценителей персональных компьютеров. Оптовые цены на микросхемы памяти за год увеличились на 42 %. Ближе к концу 2016 года похожая тенденция стала прослеживаться при заключении контрактов на поставку флеш-памяти NAND. Спрос на

Toshiba начинает поставки 512-Гбит 3D NAND-чипов и анонсирует 1-Тбайт BGA SSD

Toshiba начала поставки опытных образцов микросхем типа BiCS 3D NAND флеш-памяти с 64 слоями и ёмкостью 512 Гбит. Компания начнёт массово производить подобные чипы во второй половине года, а первым продуктом на базе этих устройств станут миниатюрные однокристальные накопители ёмкостью 1 Тбайт

Ламповые микросхемы становятся реальностью

Вакуумные технологии уже мало кого интересуют, человечество давно выбрало полупроводники. Однако о смерти говорить ещё рано — индустрия вакуумной электроники продолжает развиваться. К примеру, музыкальная компания Korg доказывает, что устройства на основе этой технологии по-прежнему имеют право на существование. Вакуумные электронные микросхемы в

Toshiba начала выпуск 16-Гбит SLC NAND повышенной надёжности

Среди твердотельных накопителей для вычислительных систем флеш-память NAND SLC с однобитовой ячейкой давно уступила место более плотной и менее дорогой памяти NAND MLC с двухбитовой ячейкой и NAND TLC с трёхбитовой ячейкой. Повышенная скорость доступа и большая устойчивость к износу памяти NAND SLC не смогли противостоять давлению со стороны