Чип Samsung на базе 10-нм FinFET (10LPE) получил транзисторную 3D-структуру. Он обеспечивает на 30% более высокую удельную эффективность поверхности, рост производительности на 27%, а также снижение энергопотребления на 40% по сравнению с 14-нанометровым предшественником. Тройное структурирование обеспечивает двустороннюю маршрутизацию для поддержания большей гибкости в дизайне и роутинге по сравнению с предыдущими моделями. Системы-на чипе Samsung на базе 10-нм техпроцесса FinFET появятся в мобильных устройствах с начала 2017 года. При этом их выход в продажу ожидается во втором квартале 2017 года.
Источник: Samsung
