Отметим, что разработки магниторезистивной оперативной памяти MRAM (magnetoresistive random-access memory) ведутся с 90-х годов прошлого века самыми разными компаниями, в том числе крупнейшими производителями памяти типа DRAM. В отличие от использующихся в настоящий момент технологий, в MRAM информация сохраняется при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов. Разработчики MRAM указывают, что этот тип памяти в конечном итоге может стать универсальной заменой всех остальных. Технология STT-MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory) использует «перенос спина» для перезаписи ячеек памяти. Это позволяет уменьшить величину тока, необходимую для записи информации в ячейку, а также использовать техпроцесс от 90 до 22 нанометров и ниже. МФТИ и КНЭ планируют создать новые материалы, дизайн устройств, а также разработать методы их контроля и моделирования. Если программа увенчается, то на мощностях КНЭ можно будет создать условия для производства продуктов на базе STT-MRAM.
Источник: МФТИ
