Авторизация
Western Digital близка к покупке полупроводникового бизнеса Toshiba

Western Digital близка к покупке полупроводникового бизнеса Toshiba

23 август
Toshiba начала вести переговоры о продаже своего полупроводникового бизнеса компании Western Digital и намерена заключить сделку в ближайшее время. Об этом стало известно изданию Nikkei. Оно пишет, что консорциум компаний, в который, помимо Western Digital, вошли американская частная инвестиционная фирма Kohlberg Kravis Roberts и японские
Toshiba SG6: потребительские SSD-накопители в форматах 2,5 дюйма и М.2

Toshiba SG6: потребительские SSD-накопители в форматах 2,5 дюйма и М.2

9 август
Корпорация Toshiba анонсировала семейство твердотельных (SSD) накопителей SG6, выполненных на основе 64-слойных микрочипов BiCS FLASH с технологией TLC (три бита информации в одной ячейке). Изделия будут предлагаться в 2,5-дюймовом форм-факторе, а также в виде модулей М.2. Задействован интерфейс SATA Revision 3.3, обеспечивающий пропускную
Toshiba BG3: потребительские SSD-накопители NVMe

Toshiba BG3: потребительские SSD-накопители NVMe

4 август
Toshiba Memory Corporation анонсировала твердотельные (SSD) накопители серии BG3, рассчитанные на потребительский рынок. Изделия выполнены с применением 64-слойных микрочипов BiCS FLASH, изготовленных по технологии TLC (три бита информации в одной ячейке). Решения соответствуют спецификации NVM Express Revision 1.2.1 (NVMe), описывающей доступ к
Фабрика раздора: Toshiba и WD не поделили финансирование Fab 6

Фабрика раздора: Toshiba и WD не поделили финансирование Fab 6

4 август
Снова пятница и снова выходит новая «серия» мыльной оперы под названием «Western Digital и Toshiba делят наследство компании SanDisk». Краткое содержание предыдущих серий. Убытки Toshiba от строительства атомных реакторов повышенной мощности в США заставили её создать дочернюю компанию Toshiba Memory Corporation (TMC) и найти для неё выгодного
Toshiba и SanDisk договорились решать спор только в арбитражном суде

Toshiba и SanDisk договорились решать спор только в арбитражном суде

31 июль
В пятницу Высший суд Сан-Франциско вынес решение, согласно которому споры между компаниями Western Digital (SanDisk) и Toshiba будут дальше рассматриваться только в Международном арбитражном суде. В компании Toshiba по этому поводу выпустили специальный пресс-релиз с комментариями, в котором решение суда преподносится как частичная победа японской
Toshiba TR200: SSD-накопители на основе памяти 3D TLC NAND для потребительского рынка

Toshiba TR200: SSD-накопители на основе памяти 3D TLC NAND для потребительского рынка

29 июль
Корпорация Toshiba анонсировала семейство твердотельных (SSD) накопителей TR200, рассчитанных на использование в персональных компьютерах — настольных системах и ноутбуках. В основу изделий положены 64-слойные микрочипы флеш-памяти 3D NAND, выполненные по технологии TLC (три бита в одной ячейке). Устройства соответствуют формату 2,5 дюйма;
Toshiba вновь закрыла доступ Western Digital к совместному предприятию

Toshiba вновь закрыла доступ Western Digital к совместному предприятию

20 июль
Toshiba объявила о возобновлении блокировки доступа Western Digital к базе данных их совместного предприятия по производству чипов памяти. Это решение было принято на фоне обострения конфликта из-за планов японской компании продать бизнес по выпуску флеш-памяти. Reuters/Toru Hanai
Apple закупает у Samsung больше памяти для новых iPhone из-за проблем у SK Hynix и Toshiba

Apple закупает у Samsung больше памяти для новых iPhone из-за проблем у SK Hynix и Toshiba

7 июль
Apple увеличивает закупки памяти Samsung для новых iPhone, поскольку компании SK Hynix и Toshiba не справляются с заказами американской корпорации, сообщает DigiTimes, ссылаясь на источники в отрасли. По их данным, объёмы выпуска чипов 3D NAND Flash на предприятиях SK Hynix и Toshiba не дотягивают до ожиданий, в результате чего компании оказались
Toshiba обещает повышенную износоустойчивость 3D QLC NAND: 1000 циклов перезаписи

Toshiba обещает повышенную износоустойчивость 3D QLC NAND: 1000 циклов перезаписи

5 июль
Многие отраслевые эксперты с осторожностью относятся к флеш-памяти типа QLC NAND вследствие её низкой износоустойчивости, находящейся на уровне 100–150 циклов перезаписи/стирания при использовании обычных методов чтения и ECC. Согласно новому заявлению Toshiba, выходящие в следующем году микросхемы 3D QLC NAND флеш-памяти смогут выдерживать до