Изделия выполнены с применением 64-слойных микрочипов BiCS FLASH, изготовленных по технологии TLC (три бита информации в одной ячейке). Решения соответствуют спецификации NVM Express Revision 1.2.1 (NVMe), описывающей доступ к SSD с помощью шины PCI Express (в данном случае PCIe 3.0 x2).
Утверждается, что скорость чтения информации достигает 1520 Мбайт/с. Запись данных в последовательном режиме может осуществляться со скоростью до 840 Мбайт/с.
В семейство Toshiba BG3 вошли модели типоразмера M.2 1620 (16 × 20 мм) и M.2 2230 (22 × 30 мм). Вместимость составляет 128, 256 и 512 Гбайт.
Ожидается, что новые накопители найдут применение в ультратонких портативных компьютерах, планшетах и других мобильных устройствах. Кроме того, они могут применяться в качестве загрузочных модулей в оборудовании для центров обработки данных.
Пробные поставки изделий серии BG3 уже начались. Нарастить объёмы производства Toshiba Memory Corporation планирует в последнем квартале нынешнего года.
