Western Digital раньше всех анонсировала 96-слойную 3D NAND

Компания Western Digital анонсировала завершение разработки очередного поколения фирменной трёхмерной флеш-памяти (3D NAND), BiCS4, которая характеризуется использованием 96 слоёв транзисторов с ловушкой заряда, расположенных по вертикальной оси. Поставки опытных образцов новой флеш-памяти партнёрам компании начнутся во второй половине текущего

Western Digital заметила выгоду от перехода на выпуск 3D NAND

Как известно, нынешней весной компания Western Digital начала ограниченный выпуск первой в индустрии 64-слойной 512-Гбит 3D NAND TLC (с трёхбитовой ячейкой). Производство 32-слойной 3D NAND оставалось в стадии оценочного и не привело к появлению в продаже SSD или иных накопителей компании с данными чипами памяти. Выпуск 48-слойных микросхем 3D

Samsung приступила к массовому выпуску 256-Гбит 64-слойной 3D NAND TLC

Компания Samsung Electronics в свежем официальном пресс-релизе сообщила о старте серийного производства 64-слойных микросхем флеш-памяти V-NAND (3D NAND) ёмкостью 256 Гбит. Следует уточнить, что ограниченный выпуск 64-слойных микросхем 3D NAND компания Samsung начала в четвёртом квартале прошлого года. Это позволило Samsung уже в январе 2017 года

Рынок NAND-памяти: дефицит сохраняется — цены растут

По результатам первого квартала, итоги которого подводит аналитическая компания DRAMeXchange, дефицит на рынке флеш-памяти сохраняется. Даже несмотря на сезонный фактор, спрос продолжает заметно превышать предложение, в результате чего цены на чипы NAND не останавливают своего роста. За первый квартал текущего года флеш-память успела подорожать на

Computex 2017: твердотельные накопители Western Digital на основе памяти 3D NAND

Компания Western Digital приурочила к выставке Computex 2017 анонс обновлённых твердотельных накопителей WD Blue 3D NAND SATA SSD и SanDisk Ultra 3D SSD. В представленных устройствах хранения данных вместо применявшейся ранее планарной TLC-памяти теперь будут использоваться 64-слойные микрочипы флеш-памяти 3D TLC NAND собственного производства

Производство 64-слойной памяти 3D NAND стартует в Китае в 2019 году

В ходе очередного визита на Тайвань председателя компании Yangtze Memory Technologies Чарльза Кау (Charles Kau) было заявлено, что 64-слойная флеш-память 3D NAND будет готова для производства в Китае в 2019 году. Образцы 32-слойной 3D NAND китайский производитель начнёт поставлять в конце текущего года. Массовое производство 32-слойной 3D

Твердотельные накопители PNY CS900 используют флеш-память TLC NAND

Компания PNY Technologies выпустила твердотельные (SSD) накопители серии CS900, подходящие для использования в настольных и портативных компьютерах. Устройства хранения данных выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе. Применены микрочипы флеш-памяти TLC NAND — технология позволяет хранить три бита информации в одной ячейке. Для подключения к ПК

Память 3D NAND станет массовой в третьем квартале

Многослойная энергонезависимая память 3D NAND оказалась выгодна как производителям, так и потребителям. Первые смогли увеличить плотность записи без увеличения площади кристалла микросхем памяти, а вторые получили для записи данных накопители с повышенной устойчивостью к износу и с возросшей скоростью работы. По этим же причинам производители

Китайский чипмейкер намерен выпускать DRAM и 3D NAND последних поколений

Свежеиспеченный китайский производитель компьютерной и энергонезависимой памяти 3D NAND — компания Yangtze Memory Technologies (по другой версии — Yangtze River Storage Technology) — определилась с видом и поколением будущей продукции, которую она начнёт выпускать с 2018 года. Согласно комментариям исполнительного директора YMT (YRST), Чарльза Кау

К июлю Samsung запустит в Корее новый завод по выпуску 3D NAND

В 2015 году компания Samsung затеяла строительство нового гигантского завода по выпуску полупроводников. На строительство и оборудование выделена впечатляющая сумма в $13,6 млрд. Предприятие вблизи города Пхёнтхэк (Pyeongtaek) раскинется на площади 2,89 млн м2. Проектная мощность предприятия, которая будет достигнута в четыре этапа в 2019 году,