В России разрабатывают технологию производства магниторезистивной памяти STT-MRAM
16 март
МФТИ (Московский физико-технический институт) и «Крокус НаноЭлектроника», входящая в состав Роснано, дали стат совместной исследовательской программе. В рамках этой программы исследователи собираются разработать и опробовать технологию производства магнитной памяти нового поколения STT-MRAM. Отметим, что разработки магниторезистивной оперативной
