Intel предложила 22-нм «аналог» техпроцесса 14 нм FinFET

Вертикальные транзисторы FinFET обладают лучшими характеристиками, чем планарные элементы. Однако выпуск недорогих массовых полупроводников структуры FinFET по 14-нм нормам — это очень дорогое удовольствие. Переломить ситуацию обещает компания Intel, разработавшая бюджетную альтернативу в виде упрощённого техпроцесса 22FFL с нормами 22 нм

Samsung запустила первое массовое производство 10-нм FinFET-чипов

Компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства первой на рынке однокристальной системы (SoC, System-on-Chip) по 10-нанометровому техпроцессу FinFET. Чип Samsung на базе 10-нм FinFET (10LPE) получил транзисторную 3D-структуру. Он обеспечивает на 30% более высокую удельную эффективность поверхности, рост производительности