SK Hinyx разрабатывает 96- и 128-слойную 3D NAND
6 июнь
С подачи компании Samsung флеш-память начала расти ввысь, увеличивая ёмкость за счёт наращивания числа слоёв при неизменной (почти) площади кристалла. Сегодня Samsung и Toshiba освоили массовое производство 64-слойной памяти 3D NAND. Следующим шагом, вероятно, станет 80-слойная память, если опираться на ранее выбранный компаниями шаг наращивания
