wsj.com
Сообщается, что SK Hinyx последовательно перейдёт на выпуск 512-Гбит 96-слойной 3D NAND, а затем на производство 1-Тбит 128-слойной флеш-памяти. Произойдёт это через несколько лет, хотя перспективы появления 128-Гбайт кристалла энергонезависимой памяти впечатляют даже сейчас. Это означает появление относительно доступных 1-Тбайт SSD и общее увеличение производительности ноутбуков и настольных систем.
36-cлойная память SK Hynix 3D NAND (3D-V2). Иллюстрация TechInsights
В настоящий момент компания SK Hinyx готовит производство к массовому выпуску 256-Гбит 72-слойной 3D NAND TLC. Выпуск этой продукции намечен на вторую половину года. Старт массового производства 72-слойной памяти компания обещала начать ещё весной, но этого, к сожалению, не произошло. Тем самым появились опасения, что SK Hynix также не выполнит другое обещание — начать массовый выпуск 512-Гбит 72-слойной памяти в конце текущего года. Можно предположить, что в конце года нам сообщат лишь о разработке технологии выпуска этих микросхем, а массовое производство начнётся весной.
Память SK Hynix NAND
Кстати, 96-слойная память также заявлена в виде 512-Гбит решений, что ставит под сомнение целесообразность налаживания выпуска 512-Гбит 72-слойной 3D NAND. Интересно, означает ли это, что выпуск 96-слойной 3D NAND компания SK Hynix сможет начать скорее раньше, чем позже?
