Intel официально представила процессоры Core i5/i7/i9 X-Series

Компания Intel раскрыла информацию о составе процессорного семейства X-Series для платформы LGA2066, а также привела рекомендованные цены новых CPU. Вслед за дебютными моделями — двумя Kaby Lake-X и тремя Skylake-X — выйдут ещё четыре чипа Skylake-X: Core i9-7920X, 7940X, 7960X и 7980XE

Начато создание первых в России микрофотонных приборов для космоса

Холдинг «Российские космические системы» (РКС), входящий в госкорпорацию Роскосмос, объявил о начале создания целевой нагрузки и служебных систем космических аппаратов на основе революционной технологии микрофотоники. РКС

Samsung готовится к началу производства 7-нм микрочипов

Компания Samsung, по сообщениям сетевых источников, намерена вложить около 7 млрд долларов США в расширение производственных мощностей. Речь, в частности, идёт о запуске новых линий по выпуску продукции с применением 10-нанометровой технологии. Этот техпроцесс южнокорейский гигант использует при изготовлении чипов Qualcomm Snapdragon 835.

Подробнее о чипсетах Intel Z270 и H270

Вместе с процессорами серии Kaby Lake компания Intel собирается также показать и новую серию совместимых с ними чипсетов Z270 и H270. К главным нововведениям относят поддержку технологии Intel Optane, благодаря которой чипсеты будут совместимы с накопителями памяти 3D X-Point; также ожидается следующая, пятнадцатая, версия Intel Rapid Storage; нас

Новые чипсеты Intel Z270 и H270 в деталях

Уже известно, что седьмое поколение массовых процессоров Intel под кодовым названием Kaby Lake прекрасно совместимо с «сотой» серией чипсетов — Z170, H170 и прочими чипами PCH, однако Intel всё же планирует представить не просто новые процессоры, а целую платформу, анонсировав и новую, «двухсотую» серию чипсетов. Какую же выгоду несут они для

Новый завод Samsung приступит к выпуску 3D NAND раньше срока

Амбициозные планы компании Samsung Electronics по сближению розничных цен на SSD и жёсткие диски были бы невозможны без перехода на многослойную память NAND-флеш или, как её называют, 3D NAND. За счёт перехода на вертикальные многослойные структуры себестоимость хранения данных в пересчёте на площадь полупроводникового кристалла начала снижаться