Динамика рыночного распространения типов мобильной памяти (DRAMeXchange)
Память LPDDR4X отличается от памяти LPDDR4 лишь в одном — напряжение питания шины (VDDQ) LPDDR4X составляет 0,6 В, а не 1,1 В, как у памяти LPDDR4. За счёт этого подсистема памяти LPDDR4X потребляет на 10–20 % меньше, чем подсистема памяти LPDDR4. Что такое современные смартфоны и какие у них внутри аккумуляторы, знают все. Даже дополнительные 10 % экономии позволят немного продлить автономную работу устройств. К тому же сегодня память LPDDR4 и LPDDR4X используется не только в смартфонах, но также в сверхтонких ноутбуках, в вещах с подключением к Интернету, в автомобильной электронике и в другой продукции, где экономия потребления считается одним из важнейших факторов.
Основные преимущества LPDDR4X перед LPDDR4
Вопрос цены, кстати, уже можно считать неважным. Себестоимость микросхем LPDDR4X приблизилась к себестоимости микросхем LPDDR4 и всего на 5 % в среднем больше, чем себестоимость памяти LPDDR3. Это стимулирует разработчиков мобильных платформ быстрее переходить на более производительную память LPDDR4/LPDDR4X и активнее заниматься адаптацией памяти LPDDR4X, добавляя при переходе с LPDDR3 не только рост скорости передачи данных, но также увеличивая энергоэффективность подсистем памяти. В целом, в текущем году доля памяти LPDDR4/LPDDR4X на рынке превысит долю памяти LPDDR3.
Микросхемы SK Hynix LPDDR4X
Лидерами производства микросхем LPDDR4X считаются компании Samsung и SK Hynix. Компания Samsung начала массовый выпуск новой памяти первой в четвёртом квартале 2016 года (с использованием 18-нм технологических норм), но SK Hynix отметилась в январе началом производства самых ёмких микросхем LPDDR4X — объёмом 8 Гбайт с использованием 21-нм техпроцесса. Также в первом квартале массовый выпуск 20-нм микросхем LPDDR4X начала компания Micron. Все три производителя планируют начать во втором квартале производство многокорпусных упаковок eMCP с использованием кристаллов LPDDR4X. Это означает также, что кристаллы LPDDR4X позже можно будет встретить в составе SoC в виде встроенных модулей памяти.