Напомним, в октябре Samsung сообщила о начале массового производства первой на рынке однокристальной системы (SoC, System-on-Chip) по 10-нанометровому техпроцессу FinFET. Чип Samsung на базе 10-нм FinFET (10LPE) обеспечивает на 30% более высокую удельную эффективность поверхности, рост производительности на 27%, а также снижение энергопотребления на 40% по сравнению с 14-нанометровым предшественником.
Как отмечают компании, применение 10-нм FinFET в процессоре Snapdragon 835 позволяет уменьшить размеры чипа, а значит производители смартфонов и планшетов смогут использовать освободившееся пространство, например, для установки более крупных и емких аккумуляторов. Устройства на базе Qualcomm Snapdragon 835 должны появиться в продаже в первой половине 2017 года.
Источник: Samsung
