Samsung приступила к массовому выпуску 256-Гбит 64-слойной 3D NAND TLC

Компания Samsung Electronics в свежем официальном пресс-релизе сообщила о старте серийного производства 64-слойных микросхем флеш-памяти V-NAND (3D NAND) ёмкостью 256 Гбит. Следует уточнить, что ограниченный выпуск 64-слойных микросхем 3D NAND компания Samsung начала в четвёртом квартале прошлого года. Это позволило Samsung уже в январе 2017 года

Память 3D NAND станет массовой в третьем квартале

Многослойная энергонезависимая память 3D NAND оказалась выгодна как производителям, так и потребителям. Первые смогли увеличить плотность записи без увеличения площади кристалла микросхем памяти, а вторые получили для записи данных накопители с повышенной устойчивостью к износу и с возросшей скоростью работы. По этим же причинам производители