Intel предложила 22-нм «аналог» техпроцесса 14 нм FinFET
29 март
Вертикальные транзисторы FinFET обладают лучшими характеристиками, чем планарные элементы. Однако выпуск недорогих массовых полупроводников структуры FinFET по 14-нм нормам — это очень дорогое удовольствие. Переломить ситуацию обещает компания Intel, разработавшая бюджетную альтернативу в виде упрощённого техпроцесса 22FFL с нормами 22 нм
