Samsung приближается к технологическому барьеру производства DRAM

При переходе с производства 40-нм микросхем памяти DRAM на 30-нм линейные размеры элементов на кристалле последовательно получалось уменьшать на 5–10 нм. Во время выпуска 20-нм DRAM шаг снижения масштаба технологических норм снижался на 2–3 нм. На этом этапе, например, производители памяти в массе отказались приводить точное значение

Samsung начнёт выпускать 15-нм чипы DRAM во второй половине 2017 года

Корпорация Samsung начнёт массовое производство 15- и 16-нм чипов DRAM во второй половине 2017 года, передаёт деловое издание Business Korea. Кроме того, ссылаясь на индустриальные источники, оно сообщает, что примерно в это же время южнокорейский гигант доведёт выпуск 18-нм решений до 30–40 % от общего объёма производимых ею микросхем памяти.