Sony улучшила плотность и надёжность фирменной памяти ReRAM

Как мы сообщали, с 2013 года компания Sony совместно с компанией Micron разрабатывает фирменную память типа ReRAM (резистивная память со случайным доступом). Предложенная партнёрами конструкция ячейки ReRAM выглядит как одна из самых прогрессивных в индустрии, а память ReRAM сегодня не разрабатывает только ленивый. Сравнение теоретических и

ReRAM 4DS такая же быстрая, как DRAM

Молодая австралийская компания 4DS Memory Limited продолжает совершенствовать энергонезависимую память типа ReRAM (резистивную с произвольным доступом). К сегодняшнему дню представлено достаточно много вариантов резистивной памяти. Некоторые даже склонны видеть ReRAM в памяти Intel 3D XPoint, хотя последняя использует ячейку с изменяемым фазовым

Изучаем микросхемы памяти Intel 3D XPoint под микроскопом

После анонса памяти 3D XPoint компания Intel долго держала в секрете технологию работы новинки. Позже выяснилось, что ячейка памяти 3D XPoint использует эффект изменения фазового состояния вещества. Сегодня благодаря инженерам компании TechInsights у нас появилась возможность рассмотреть внутреннее строение микросхем 3D XPoint

Российская разработка может стать основой памяти ReRAM

Специалисты Центра коллективного пользования Московского физико-технического института (МФТИ) предложили новую технологию, которая в перспективе может быть применена при изготовлении памяти ReRAM. Напомним, что ReRAM (или RRAM) — это резистивная память с произвольным доступом. Изделия данного типа обеспечивают быстродействие, сопоставимое с DRAM,