Samsung представила техпроцессы с нормами 11 нм и 7 нм EUV

Компания Samsung Electronics выпустила пресс-релиз, в котором сообщила о завершении разработки двух техпроцессов: 11-нм техпроцесса 11LPP FinFET (Low Power Plus) и 7-нм техпроцесса 7LPP FinFET. Техпроцесс с нормами 11 нм будет использовать классические сканеры с длиной волны 193 нм, а техпроцесс с нормами 7 нм впервые в индустрии задействует

SK Hynix и Micron форсируют разработки 10-нм DRAM

Как известно, по технологичности производства оперативной памяти DRAM компания Samsung Electronics примерно на два года опережает конкурентов: компании SK Hynix и Micron. Массовый выпуск микросхем DRAM 10-нм класса (с нормами 18 нм) компания Samsung начала в марте 2016 года. Компания Micron к выпуску 18-нм микросхем памяти приступила в первом

Samsung обещает начать выпуск 4-нм чипов в 2020 году

В среду компания Samsung Electronics провела конференцию, в ходе которой рассказала о планах по освоению новых технологических процессов. Подчеркнём, что это уже не слухи и утечки, а вполне обоснованная «дорожная карта». Фактически руководство к действию. Главным для нас и для отрасли стало сообщение, что рисковое производство с нормами 4 нм

Samsung приближается к технологическому барьеру производства DRAM

При переходе с производства 40-нм микросхем памяти DRAM на 30-нм линейные размеры элементов на кристалле последовательно получалось уменьшать на 5–10 нм. Во время выпуска 20-нм DRAM шаг снижения масштаба технологических норм снижался на 2–3 нм. На этом этапе, например, производители памяти в массе отказались приводить точное значение