Планы SK Hynix на этот год: 18-нм DRAM, 72-слойная 3D NAND, расширение фабрики M14
28 январь
Компания SK Hynix раскрыла некоторые планы по производству оперативной и энергонезависимой памяти на этот год. Компания представит микросхемы DRAM, произведённые по технологии 18 нм, а также микросхемы NAND флеш-памяти ёмкостью 512 Гбит (64 Гбайь)
