Сообщается, что аппаратной основой устройства послужит платформа Snapdragon 835. Этот чип, разработанный компанией Qualcomm, производится по 10-нанометровой технологии. Изделие содержит восемь вычислительных ядер Kryo 280 с тактовой частотой до 2,45 ГГц, мощный графический ускоритель Adreno 540 и модем X16 LTE со скоростью загрузки данных до 1 Гбит/с.
Смартфон Galaxy S8 Active получит пылевлагозащищённое исполнение. Кроме того, говорится об устойчивости к падениям, ударам, тряске и вибрациям.
Объём оперативной памяти составит 4 Гбайт. Данные Geekbench говорят о том, что аппарат функционирует под управлением операционной системы Android 7.1 Nougat.
Наблюдатели полагают, что новинка будет оснащена довольно мощной аккумуляторной батареей ёмкостью около 4000 мА·ч. Кроме того, упомянута поддержка технологии беспроводной подзарядки.
Отметим, что в первом квартале нынешнего года, по оценкам, в глобальном масштабе было реализовано 347,4 млн смартфонов. Это на 4,3 % больше по сравнению с первой четвертью 2016 года, когда поставки равнялись 332,9 млн единиц.
