Напомним, что совсем недавно дебютировали смартфоны Galaxy S8 и S8+. В одной из версий они полагаются на передовой процессор Qualcomm Snapdragon 835, который содержит восемь вычислительных ядер Kryo 280 с тактовой частотой до 2,45 ГГц, высокопроизводительный графический ускоритель Adreno 540 и сотовый модем X16 LTE.
Сообщается, что проектируемый для Galaxy S9 чип, вероятнее всего, получит обозначение Snapdragon 845. О характеристиках нового изделия пока ничего не сообщается. Но очевидно, что оно по сравнению со Snapdragon 835 предложит дальнейшее повышение быстродействия вычислительных ядер и графической подсистемы.
После завершения работ над процессором его производство возьмёт на себя либо Samsung, либо Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC). Кстати, выпуском Snapdragon 835 занимается именно Samsung: при изготовлении чипа применяется 10-нанометровая технология.
Добавим также, что в текущем квартале TSMC приступит к рисковому производству 7-нанометровых чипов по заказу MediaTek. Правда, на рынке такие процессоры, скорее всего, появятся только ближе к середине 2018-го. Не исключено, что 7-нанометровая технология будет применяться при выпуске Snapdragon 845.
