Наглядно о преимуществах производства на пластинах RF SOI
За счёт использование изолирующего слоя удаётся избежать утечек и улучшить характеристики транзисторов, в том числе — значительно увеличить частотный потенциал. Комбинация логических и радиочастотных цепей ведёт к значительной экономии при производстве чипов и позволяет быстрее и с меньшими затратами вывести решения на рынок. По сообщению GlobalFoundries, техпроцесс 45RFSOI позволит выпускать решения, работающие в миллиметровом диапазоне от 24 ГГц до 100 ГГц. Это в пять раз больше, чем могут позволить решения поколения 4G (LTE). Высокое удельное сопротивление подложек RFSOI свыше 40 Ом/см обеспечивает максимально возможную добротность для пассивных элементов, что минимизирует потери энергии и снижает паразитные ёмкости. Тем самым также снижается уровень шумов, позволяя создавать усилители с хорошими характеристиками.
Техпроцесс производства на пластинах RF SOI оптимален для решений миллиметрового диапазона
Техпроцесс 45RFSOI подходит также для выпуска решений для низкоорбитального спутникового Интернета и для всевозможных радаров бытовой направленности, например, для автомобильных автопилотов. Радиочастотные компоненты на RFSOI хорошо согласуются с антенными решётками, позволяя формировать лепестки заданной направленности. Производством чипов с использованием техпроцесса 45RFSOI на 300-мм подложках будет заниматься завод компании в Ист-Фишкилл. До лета 2015 года это был завода компании IBM, собственно, как и технология производства на SOI-подложках, обкатанная в лабораториях Голубого Гиганта в середине 2000-х годов. Приятно, что GlobalFoundries смогла с умом распорядится наследием IBM.