В России начата разработка перспективных типов транзисторов

Холдинг «Росэлектроника» (входит в госкорпорацию Ростех) приступил к разработке перспективных типов транзисторов, которые найдут применение в самых разнообразных электронных устройствах.Речь, в частности, идёт о транзисторах на основе нитрида галлия (GaN) и о так называемых спиновых полевых транзисторах.Отмечается, что изделия на основе GaN откроют широкие возможности в производстве блоков питания различных типов, в развитии мобильной и космической связи. В частности, такие транзисторы позволят значительно уменьшить габариты БП, адаптеров и зарядных устройств. А это даст возможность сократить массу и повысить эффективность электромобилей и гибридов.В мобильной связи пятого поколения мощные СВЧ-транзисторы на основе GaN позволят увеличить объёмы передаваемого трафика за счёт большего диапазона частот. Благодаря высокой радиационной стойкости новые транзисторы будут востребованы в сфере космической связи. Опытные образцы изделий планируется получить в 2017 году.Что касается спиновых полевых транзисторов, то они обеспечат очень высокую скорость переключения между состояниями и низкое энергопотребление. Серийное производство таких изделий пока не освоено нигде в мире.